5月25日消息，俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。
俄罗斯联邦工业和贸易部副部长VasilyShpak表示，该设备可确保生产350nm的芯片。尽管350nm的芯片技术相较之下显得落后，但它在汽车、能源和电信等诸多行业中仍有着应用价值。
在全球范围内，这种复杂程度的设备由几家主要公司制造，其中最大的是荷兰的ASML公司以及佳能和尼康。目前，台积电和三星利用ASML的EUV光刻技术，已经能够生产出精细至3nm甚至2nm的芯片。
对于受到美西方严厉制裁的俄罗斯半导体产业而言，这一进展无疑是一则喜讯。这意味着，俄罗斯在自主发展半导体技术的道路上取得了突破，有望减少对外部技术的依赖，提升国内产业的自主性和竞争力。
值得一提的是，咱们国家的上海微电子，在2007年研制出国内首台90nm工艺光刻机（目前官方公布的数据是，我们可以实现22nm乃至14nm制程的光刻机的自主研发）。相比之下，俄罗斯此次能够独立完成350nm光刻机的研制，虽然制程上仍然落后很多，但这仍显示了其坚持自主研发的决心。
此外，俄罗斯还计划到2026年实现65nm芯片节点工艺，2027年实现28nm本土芯片制造，到2030年实现14nm国产芯片制造。这些计划若能实现，将为后续的俄罗斯科技界和产业界带来更多突破。
