领先的芯片制造商三星和台积电已经在起草各自的2nm制造计划。2月5日消息，三星计划明年在韩国开始2nm制造。并且在2047年之前，三星将在韩国总投资500万亿韩元（约3710亿美元），建立一个巨型半导体工厂，由13个芯片工厂和3个研究设施组成，将进行2nm制造。

据悉，2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破，它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。

作为三星最大的竞争对手，台积电在去年研讨会上就披露了2nm芯片的早期细节，台积电的2nm芯片将采用N2平台，引入GAAFET纳米片晶体管架构和背部供电技术。台积电计划在台湾新竹和高雄建设2nm芯片制造厂和科技园，并在台中建设另一座工厂，但仍在等待政府批准。

台积电推出的采用纳米片晶体管架构的2nm制程技术，在相同功耗下较3nm工艺速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。

业内人士指出，三星、台积电均具备2025年量产2nm工艺的实力，但是在良率以及客户认可度方面会有所差别。

举例来说，此前高通骁龙8 Gen1采用的是三星4nm工艺，因功耗问题高通换成了台积电4nm，从骁龙8+ Gen1开始，高通骁龙8系全面拥抱台积电。如果三星芯片良率提升，功耗不翻车的话，高通未来的骁龙8系列处理器有可能再次交由三星代工。

另外，台积电在亚利桑那州仍有两家芯片工厂正在建设中，如果没有进一步的挫折，预计将于2024年开始生产4nm芯片，2026年开始生产3nm芯片。

自2021年以来，三星一直在德克萨斯州建造自己的工厂，耗资170亿美元，但进展缓慢，预计只能生产4nm节点的芯片。