日前，位于湖北省武汉新城中心片区的长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶。这标志着，该项目进入投产倒计时，预计于今年6月全面封顶，明年7月投产。

该项目由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元。主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。

项目占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期为578日。

自去年9月开工以来，项目团队克服各种高难度技术问题以及冻雨严寒、高温、暴雨等极端天气影响，圆满完成了深基坑开挖、高大柱施工、高精度楼地面、华夫板、屋面钢桁架吊装等关键工期节点。

项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，产能位居全国前列，将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，助力武汉打造国内化合物半导体产业高地，吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业，助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。

长飞先进半导体（武汉）有限公司是安徽长飞先进半导体有限公司全资子公司，专注于碳化硅功率半导体产品研发及制造。安徽长飞先进半导体有限公司公司可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管，致力于提供高品质的服务，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。