5月2日，在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士表示，由于AI爆发对先进存储产品HBM芯片的需求，公司今年的HBM产能已经全部售罄，明年订单也基本售罄。据称，SK海力士预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。

公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。

DRAM方面，SK海力士正在量产HBM3E和256GB以上的超高容量模块，世界最高速度的LPDDR5T也已实现商用。NAND方面，SK海力士也在业界唯一提供基于QLC的60TB以上SSD产品等，维持着世界顶级面相AI的存储器供应商地位。不止于此，SK海力士还在开发进一步改进的新型产品。

据官方介绍，不仅是HBM4和HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，SK海力士同时还在准备CXL Pooled（池化）存储解决方案、PIM（Processing-In-Memory）等创新的存储器方案。

▲SK海力士M15X新工厂鸟瞰图

除此之外，SK海力士已经在使用先进MR-MUF技术量产12层堆叠HBM3产品。据称，MR-MUF技术与过去的工艺相比，将芯片堆叠压力降低至6%的程度，也将生产效率提高至4倍，散热率提高了45%；同时MR-MUF技术在维持MR-MUF优点的同时采用了新的保护材料，得以使散热性能改善10%。SK海力士还计划在HBM4也采用先进MR-MUF技术，从而实现16层堆叠，正在积极研究混合键合（Hybrid bonding）技术。

关于美国投资的内容，SK海力士在上个月确定在印第安纳州西拉斐特建设面向AI的存储器先进封装生产基地，预计将从2028年下半年开始量产。

还介绍了其韩国清州M15x及龙仁半导体集群投资项目的进展。据介绍，M15x是一座双层晶圆厂，总面积达6万3000坪，将具备包括EUV在内的一站式HBM生产工艺。该项目与正在扩大TSV工艺生产能力的M15相邻，从而最大程度地提高HBM生产效率，计划在明年11月竣工后，2026年第三季度正式投入量产。

对于占地面积达415万平方米的龙仁半导体集群，SK海力士计划依次建造四座工厂，并将引入国内外原材料、零部件和设备企业从而协力发展半导体生态系统。龙仁集群内SK海力士第一座工厂将于2025年3月开工，预计在2027年5月竣工。同时，集群将投入约9000亿韩元（约47.16亿元人民币）建设迷你工厂。