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SK海力士计划在美国投资150亿美元建设先进封装工厂

2月1日消息,韩国存储芯片制造商SK海力士计划在美国印第安纳州建立先进封装工厂,这是一项可能重塑美国半导体行业的战略举措。据称,预计投资额约为150亿美元(约1076.9亿人民币)

据悉,SK海力士的新封装工厂将专门堆叠标准动态随机存储器(DRAM)芯片,以创建高带宽存储器(HBM)芯片,然后将其与英伟达的GPU集成,用于训练OpenAI的ChatGPT等系统。

分析师表示,台积电已经在亚利桑那州建造了两座先进制造工厂,SK海力士在印第安纳州的新工厂将使英伟达更接近将其所有GPU生产外包。

韩国产业经济和贸易研究所研究员Kim Yang-paeng表示:“如果SK海力士在美国建立先进的HBM存储器封装厂,再加上台积电在亚利桑那州的工厂,这意味着英伟达最终可以在美国生产GPU。”

相关SK海力士的消息人士指出,美国客户对HBM的需求不断成长,加上与芯片设计人员必须密切合作的需要,使得在美国建设先进封装工厂成为必然。因此,消息人士指出,将SK海力士的先进封装技术更深入地整合到英伟达的供应链中,也将有助于这家韩国公司应对来自三星和美光等其他HBM生产商的竞争。

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