该工厂位于美国北卡罗来纳州查塔姆县，总投资为50亿美元（约人民币356亿元），占地面积为445英亩，主要生产8英寸SiC单晶圆，其单片尺寸是150mm晶圆的1.7倍，这意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多，也将最终有助于降低器件成本，这些晶圆将用于供应Wolfspeed莫霍克谷工厂。

目前，查塔姆工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，竣工达产后，将使Wolfspeed的SiC晶圆产量扩大10倍。

该工厂将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌以及其他企业）提供支持，推动具有重要意义的进展，朝着实现Wolfspeed长期增长战略不断迈进。

Wolfspeed引领碳化硅（SiC）技术在全球市场的采用，产品家族包括了SiC材料、功率器件，针对电动汽车、快速充电、可再生能源和储能等多种应用。Wolfspeed目前在北卡罗来纳州达勒姆的总部生产全球超过60%的碳化硅材料，并且正在开展投资65亿美元的产能扩充计划，以显著提升制造。

一厂（美国达勒姆）：主要生产6英寸SiC材料、晶圆，所制造的SiC材料占全球60%以上，该工厂将推进8英寸SiC材料扩产。另外已新建10号楼用于8英寸SiC生产，目前已供给莫霍克谷工厂的8英寸SiC晶圆生产线。

二厂（美国莫霍克谷）：总投资为10亿美元（约人民币71.2亿元），占地面积为55英亩，主要生产8英寸SiC晶圆。

四厂（德国恩斯多夫）：旨在打造Wolfspeed最大、最先进的8英寸SiC晶圆厂，预计在2025年开始建设。

五厂（美国德克萨斯）：Wolfspeed购买了位于美国德克萨斯州的外延设施，建立多站点外延厂区，预计2024年中旬开始产能释放，将支持6英寸、8英寸SiC晶圆加工。