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投资超1000亿,印度3个半导体工厂奠基

3月13日,印度总理纳伦德拉·莫迪以视频方式为总价值约1.26万亿卢比(约人民币1093.66亿元的三个半导体项目奠基。

第一座工厂为印度塔塔集团(Tata)与中国台湾力积电(PSMC)合作建设的晶圆制造厂,位于古吉拉特邦的Dholera,总投资9100亿卢比(约人民币790.01亿元,预计月产能达5万片晶圆。该工厂将涵盖28nm、40nm、55nm、90nm以及110nm节点,预计将创造约2万个岗位。

该工厂预计将于2026年底开始芯片生产。PSMC董事长Frank Huang表示,Dholera工厂将专注于为高功率计算、电动汽车、电信 、国防、消费电子和汽车等各个领域制造芯片。

第二座工厂是由塔塔集团旗下的塔塔半导体组装公司(Tata Semiconductor Assembly)Test Pvt Ltd合作建设的外包半导体组装和封测(OSAT工厂,位于印度东北部阿萨姆邦,总投资2700亿卢比(约人民币234.37亿元,预计将为超过3万人创造就业机会。

第三座工厂是印度CG Power与日本瑞萨电子、泰国Stars Microelectronics共同建设的OSAT工厂 ,总投资760亿卢比(约人民币65.98亿元,日产能约1500万颗芯片。

印度政府希望将印度打造为全球芯片制造强国,此前宣布推出100亿美元半导体制造奖励计划,但初期遭受挫折。其中印度公司Vedanta曾计划与鸿海集团合作建设芯片工厂,ISMC财团以及以色列Tower Semiconductor也曾计划在印度投资,总部位于新加坡的IGSS Ventures也提交了数十亿美元的计划,但这些项目都未成功推进。

莫迪表示,今天是历史性的一天,三大半导体制造厂的奠基仪式将帮助印度成为主要的半导体中心。


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